激光鍍膜設備用途:
激光鍍膜設備用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料,適用於生長高熔點、多元素及含有氣體元素的複雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應用於大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量製備。
激光鍍膜設備技術參數:
主真空室 |
球型結構,尺寸Ø 450mm |
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進樣室 |
圓筒型立式結構,尺寸Ø 150x 150mm |
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真空係統配置 |
主真空室 |
分子泵與機械泵,閥門 |
進樣室 |
分子泵與機械泵(與主真空室共用),閥門 |
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極限壓力 |
主真空室 |
≦6*10-6Pa(經烘烤除氣後) |
進樣室 |
≦6*10-3Pa(經烘烤除氣後) |
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恢複真空時間 |
主真空室 |
20分鍾可達到5*10-3Pa(係統短時間暴露大氣並充幹燥氮氣開始抽氣) |
進樣室 |
20分鍾可達到5*10-3Pa(係統短時間暴露大氣並充幹燥氮氣開始抽氣) |
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旋轉靶台 |
靶材*大尺寸約60mm;可一次安裝4塊靶材,可實現公轉換靶;每塊靶材可自轉,轉速5~60轉/分
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基片加熱台 |
樣品尺寸 |
Ø51 |
運動方式 |
基片可連續回轉,轉速5~60轉/分 |
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加熱溫度 |
基片加熱zui高溫度800C±1 C,可控可調 |
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氣路係統 |
質量流量控製器1路,充氣閥1路 |
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可選部件 |
激光器裝置 |
配相幹201激光器 |
激光束掃描裝置 |
二維掃描機械平台,執行兩自由度掃描 |
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計算機控製係統 |
控製的內容主要有公轉換靶,靶自轉,樣品自轉、樣品控溫、激光束掃描等 |
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設備占地麵積 |
主機 |
1800 * 1800mm2 |
電控櫃 |
700 *700mm2(1個)
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